英特尔想要尽快压制三星，用这些新战略试试看

作者/Sang-Yun Lee, CEO, BeSang Inc.

英特尔自从1992年以来首次在半导体业务收入中失去第一名，需要新的策略来缩小差距或超越三星。
2017年，三星半导体部门的总收入达到691亿美元，超过了英特尔的628亿美元。由于内存价格高涨，三星自1992年以来首次将英特尔从芯片销售的首位击倒。

由于平面DRAM由于即将结束的摩尔定律而面临缩放限制，成本缩减变得缓慢并且平面DRAM最终无法满足需求。位增长在23年内缩小到最低点。因此，很难预计任何时候内存价格会出现下滑。

英特尔与三星的半导体收入和营业利润比较。

不过，三星的收入是否会在2018年持续增长？根据DRAMeXchange的数据，DRAM收入在2017年增长了76％，预计2018年将增长超过30％。如果我们假设DRAM收入增长将导致三星半导体部门在2018年至少收入增长20％，而英特尔与2017年相比，收入稳步增长7％，随后英特尔在半导体领域的领导地位将成为历史。

DRAMeXchange预测，如果DRAM销售额在2018年增长超过30％，三星半导体的收入将持续快速增长。

英特尔的下一步应该是什么？作为一名追随者，英特尔需要新的策略来缩小差距或超越三星。

英特尔可能会考虑尽可能扩大其代工业务，而不受代工策略或商业模式的限制。英特尔代工厂的大门需要向各种客户提供各种知识产权的竞争性服务。由于英特尔拥有最好的技术，因此英特尔的代工厂可能会在短时间内成为英特尔的盈利业务。

英特尔的另一个建议是与三星在内存领域进行直接竞争。英特尔在DRAM业务方面有着悠久的历史，并且仍然拥有强大的嵌入式DRAM技术。想想3D DRAM。由于DRAM厂商还没有3D DRAM技术，它将成为游戏规则的变革者。DRAM供应商正在使用传统平面DRAM创造创纪录的收入和利润，而传统的平面DRAM已经面临缩放限制。如果3D DRAM出现，它肯定会在DRAM业务中形成新的范式。因此，使用3D DRAM的DRAM业务的直接竞争将是与三星竞争的最有效方式。

尽管英特尔的NSG（N -on-Volatile Memory S olution G）roup）拥有创新的3D XPoint技术，因此英特尔NSG需要额外的颠覆性技术，以便将NSG业务与其竞争对手区分开来。如下图所示，三星和英特尔的NAND闪存市场份额差距很大。事实上，英特尔是NAND领域的一个小玩家。尽管英特尔拥有富有竞争力的NAND技术，但从外部来源发现新兴技术并采用新的创新技术实现更好的英特尔NSG业务是有利的。3D XPoint具有巨大的潜力，但可能需要更多时间才能具有成本竞争力。因此，研发费用和营业收入应该平衡。当其他NAND供应商创造创纪录的利润时，英特尔NSG也需要盈利。

英特尔非易失性解决方案集团2017年收益和NAND闪存市场份额。

许多人可能并没有预料到三星在如此短的时间内将超越英特尔。具有讽刺意味的是，由于平面DRAM的供应有限，摩尔定律的结束给三星带来了巨大的商机。因此，记忆成为卖方市场。

尽管中国的手机制造商抱怨内存价格居高不下，而中国政府正在考虑DRAM固定价格的可能性，但内存价格的上涨似乎不可阻挡。DRAMeXchange预测，如果DRAM收入在2018年增长超过30％，三星将加大与英特尔的距离。传统上，英特尔和三星之间的业务重叠度非常小。但为了夺回王位，英特尔需要在内存和晶圆代工市场进行直接竞争。英特尔当然需要尽早采取新策略。