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使用软件调整DS325x LIU的发送脉冲

时间:2009-04-18 11:47

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作者:admin

标签: 脉冲 

导读:使用软件调整DS325x LIU的发送脉冲-摘要:本应用笔记介绍不用改动外部元件,如何来调整DS3254、DS3253、DS3252和DS3251 DS3、E3、STS-1线路接口单元(LIU)的脉冲设置,包括幅度和脉冲波形等。...
摘要:本应用笔记介绍不用改动外部元件,如何来调整DS3254、DS3253、DS3252和DS3251 DS3、E3、STS-1线路接口单元(LIU)的脉冲设置,包括幅度和脉冲波形等。

DS3254、DS3253、DS3252和DS3251 DS3、E3、STS-1线路接口单元(LIU)在默认工作状态下可以输出符合规范要求的发送脉冲。然而有时为了适应某些特殊应用要求必须调整脉冲输出。本应用笔记诠释应修改哪些寄存器,以及相应的脉冲调整结果。本文还阐述脉冲幅度和脉冲波形的设置,确保得到满意的结果。

幅度调整

利用下面的寄存器,用户可以控制发送脉冲的幅度。

寄存器名称: 测试寄存器C
寄存器地址: 0Ah
寄存器说明: 测试寄存器C (TESTC.6 - TESTC.3)的第6位到第3位调整发送幅度。这些比特设置的效果是递加的, TESTC.6 = 1和TESTC.5 = 1时除外,此时其他幅度设置无效。

第7位:正常工作时,该位必须设置为零。

第6位和第5位:依据下表对这两位进行设置。

Bit 6 Bit 5 Amplitude Adjustment
0 0 No amplitude adjustment
0 1 Amplitude raised by 8%
1 0 Amplitude lowered by 8%
1 1 Amplitude raised to current limiter threshold (amplitude, max)

第4位:幅度提升4%。

第3位:幅度提升2%。

脉冲宽度和波形调整

使用下面的寄存器,用户可以控制发送脉冲的波形。

寄存器名称: 测试寄存器C
寄存器地址: 0Ah
寄存器说明: 测试寄存器C (TESTC.2至TESTC.0)的第2位到第0位用于对发送脉冲波形进行互不关联的调整。这些位可以用于调整脉冲模板。

第2位到第0位:依据下表对这三位进行设置。

Bit 2 Bit 1 Bit 0 Pulse shape adjustment
0 0 0 No pulse adjustment
0 0 1 Make pulse ~0.8ns wider (DS3/STS-1, LBO = 0 Mode Only)
0 1 0 Make pulse ~0.8ns narrower (DS3/STS-1, LBO = 1 Mode Only)Make pulse ~1.1 ns narrower (E3 Mode Only)
0 1 1 Flattens top of pulse slightly
1 0 0 Not useful (Do not use.)
1 0 1 Force square pulses (Forces E3 mode in the wave shape circuit.)
1 1 0 Not useful (Do not use.)
1 1 1 Not useful (Do not use.)

寄存器名称: 测试寄存器D
寄存器地址: 0Bh
寄存器说明: 根据不同的工作模式,该寄存器有不同的作用。由于采用了分段线性方式来构建发送脉冲,因此可以通过调整各段的相对持续时间来改变波形。DS3和STS-1模式时,除了构建脉冲还进行低通滤波。在所有模式下,这些设置不会影响脉冲幅度。

在DS3和STS-1模式时,测试寄存器D (TESTD.7, TESTD.3至TESTD.0)的第7位至第3位通过改变上升周期的持续时间来调整波形。

在E3模式中,测试寄存器D (TESTD.7, TESTD.4至TESTD.0)的第7位、第4位至第0位通过改变上升周期的持续时间来调整波形。

DS3和STS-1模式设置
在DS3和STS-1模式时,低4位的工作相对独立,因此可以采用任意设置组合。例如,同时设置第1位和第2位使脉冲略为加宽,顶部平坦;设置第0位和第3位使脉冲变宽,但是顶部更尖锐一些;设置所有4个比特使脉冲变宽,但是对波形影响不大。

第7位:加倍TESTD.3和TESTD.0两位的拖尾下冲效果。

第6位至第4位:正常工作时,这些位必须设置为零。

第3位:提高拖尾下冲电平。通过提高成形电路驱动脉冲下降沿的持续时间来实现。

第2位:延长脉冲顶部的第二部分(略微提升下冲)。

第1位:延长脉冲顶部的第一部分(略微降低下冲)。

第0位:降低拖尾下冲电平。通过提高成形电路驱动脉冲上升沿持续时间来实现。这不会影响进行独立控制的脉冲幅度。

E3模式设置
在E3模式时,因为理想的脉冲是方波,所以这些位主要影响脉冲的持续时间,但第4位会影响脉冲前沿波形。此外,通过提升幅度(TESTC6:3),同时降低外部负载电阻(降低幅度)可以使脉冲顶部平坦。

第7位:加倍TESTD.0位的效果。

第6、5位:正常工作时,这些位必须设置为零。

第4位:使脉冲前沿尖锐。

第3位:使脉冲变窄~0.25ns (如果TESTD.7 = 1,该位不起作用。)

第2位:使脉冲变宽~0.25ns。

第1位:使脉冲变宽~0.25ns。

第0位:使脉冲变宽~0.25ns (如果TESTD.7 = 1,则为~0.5ns)

参考
如果您对LIU初始化和配置还有其他问题,请通过电子邮件 telecom.support@dalsemi.com (English only),或者致电01-972-371-6555,联系电信应用支持组。

关于DS3254、DS3253、DS3252以及DS3251线路接口单元的详细信息,请参考相应的数据资料,这些资料可由Dallas Semiconductor/Maxim网站:T/E载波与分组交换产品获取。

温馨提示:以上内容整理于网络,仅供参考,如果对您有帮助,留下您的阅读感言吧!
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