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英飞凌半导体与系统解决方案产品推荐

英飞凌（Infineon）作为世界半导体产业发展的先行者和引领者，一直致力于打造先进的产品和全面的系统解决方案，为现代社会的三大科技挑战领域——高...

阅读全文2023-12-20

碳化硅功率半导体多芯片封装技术研究

过去几十年里，半导体技术快速发展，芯片特性显著提升。大功率半导体器件是由多颗半导体裸芯片通过封装集成而形成，面临着封装特性提升较慢，无法...

阅读全文2023-12-20

SiC MOSFET驱动电压尖峰的抑制方法简析（下）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的...

阅读全文2023-12-20

大尺寸SiC单晶的研究进展

在新能源产业强劲需求下，全球SiC产业步入高速成长期，推升了对SiC衬底产能的需求。...

阅读全文2023-12-19

碳化硅功率器件的技术、应用与发展简析

碳化硅（SiC）是一种具有优异物理特性的半导体材料，其高电子饱和迁移率、高热导率、高击穿场强和高电子饱和迁移率等特点使其在功率器件领域具有广...

阅读全文2023-12-19

金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域研

氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMTs)因其优异的大功率高频性能在大功率射频器件领域具有广阔的应用前景。...

阅读全文2023-12-19

具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究

GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。...

阅读全文2023-12-19

计算机、晶体管的问世，MOSFET的创新与制造技术

晶体管可以用微小的电量控制大量电流的流动，可谓是颠覆性的创造。科学家发现，只要使用以下两种半导体元件，就可以轻而易举地连接或断开信号。...

阅读全文2023-12-18

液相法碳化硅单晶生长技术研究

碳化硅具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、良好的耐辐射性和化学稳定性、GaN的近晶格常数和热膨胀系数等优势。...

阅读全文2023-12-18

龙腾半导体MOSFET和IGBT在户用光伏储能上的应用

户用储能，也被称为家庭储能，是一种将分布式光伏与家庭储能相结合的能源系统。该系统利用太阳能发电设备为家庭提供电力，并将多余的电能储存起来...

阅读全文2023-12-18

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