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基于HVPE的氮化镓单晶衬底设备与工艺技术

第三代半导体，具有宽禁带、高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、良好的化学稳定性等特点，被业内誉为固态光源、电力电...

阅读全文2023-12-09

npn和pnp有什么区别？npn和pnp三极管的应用

npn和pnp有什么区别？npn和pnp三极管的应用 NP（负-正）-NPN（NPN晶体管）和PN（正-负）-PNP（PNP晶体管）是具有相反电流和电压极性的两种类型的双极结晶体...

阅读全文2023-12-09

高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能研究

近日，第九届国际第三代半导体论坛第二十届中国国际半导体照明论坛在厦门国际会议中心召开。...

阅读全文2023-12-09

GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体

近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。期间，“氮化镓功率电子器件技术分论坛”上，台湾...

阅读全文2023-12-09

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

氮化镓具有优异的材料特性，例如宽带隙、高击穿场强和高功率密度等。氮化镓器件在高频率、高效率、高功率等应用中具有广阔的应用前景。...

阅读全文2023-12-09

氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成C+轮数亿

近日，第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成C+轮数亿元融资，这是晶湛公司继2022年完成2轮数亿元融资以来的又一融资进展。...

阅读全文2023-12-09

GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器研究

以GaN为代表的第三代半导体具有高击穿电场，高电子饱和速度，高频和高功率等特性，在射频和电力电子器件领域具有巨大的性能优势。...

阅读全文2023-12-09

增强型功率氮化镓器件结构设计进展

作为宽带隙材料，GaN具有击穿电压高、热导率大、开关频率高，以及抗辐射能力强等优势。...

阅读全文2023-12-09

助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展

GaN性能优异，在光电子、微电子器件应用广泛，发展潜力巨大；进一步发展，需提升材料质量，制备高质量氮化镓同质衬底。...

阅读全文2023-12-09

龙腾半导体MOS管规格书参数解读

一般来说任何情况下MOSFET工作状态超过以下指标，均可能造成器件的损坏，以龙腾650V 99mΩ器件规格书为例...

阅读全文2023-12-08

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