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SiC MOSFET驱动电压尖峰与抑制方法分析（上）

高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰...

阅读全文2023-12-18

HOLTEK新推出HT74173 6V/3A/1.2MHz同步降压转换器

Holtek新推出一款应用于携带式按摩器、玩具及投线仪等携带式产品的同步降压转换器HT74173。...

阅读全文2023-12-15

意法半导体推出下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片

2023年12月15日，中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现...

阅读全文2023-12-15

纳微半导体GeneSiC™ 3.3kV SiC MOSFETs获年度优秀产品

12月13-14日，由行家说三代半主办的2023碳化硅氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼于深圳国际会展中心皇冠假日酒店隆重举办，...

阅读全文2023-12-15

MOSFET发生EOS的失效模式有哪些？如何区分是什么

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件，其主要功能是控制电流的流动。...

阅读全文2023-12-15

Gel-Pak真空释放盒砷化镓芯片储存解决方案

上海伯东美国 Gel- Pak VR 真空释放盒, 非常适用于运输以及储存砷化镓芯片和 MMIC 的器件....

阅读全文2023-12-14

pipeline ADC的实现原理及基本结构（2）

直接将转移特性曲线向下平移Vref/2，也就是将输出给下一级的残差减小Vref/2（这是级间放大后的结果，从放大前角度看就是Vref/4），通过上述分析，这么做...

阅读全文2023-12-14

pipeline ADC的实现原理及基本结构（1）

假设单级的分辨率为n，它由S/H电路、n位的子ADC、n位的子DAC、减法器以及乘法器构成，一般也将n位的子DAC、减法器以及乘法器统称为MDAC（multiplying DAC）。...

阅读全文2023-12-14

什么是IGCT？什么是IGBT？两者有何区别与联系

IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor），中文名称：集成门极换流晶闸管。...

阅读全文2023-12-14

英特尔发力具有集成驱动器的氮化镓GaN器件

在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。...

阅读全文2023-12-14

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