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IGBT的终端耐压结构—平面结和柱面结的耐压差异

IGBT是要耐受高电压的，在《IGBT的若干PN结》一章中，我们从高斯定理、泊松方程推演了PN结的耐压，主要取决于PN结的掺杂浓度。...

阅读全文2023-12-01

IGBT的关断瞬态分析—IV关系（2）

上一节我们建立了基区宽度与外加电压随时间的变化关系...

阅读全文2023-12-01

IGBT的关断瞬态分析—IV关系（1）

我们曾在文中反复提及，电压是电场的积分，而电场是电荷的积分，所以要得到电压的关断瞬态，就必须弄清楚电荷的分布以及积分的边界。...

阅读全文2023-12-01

NMOS管的特性曲线（二）— 转移特性曲线详解

转移特性曲线：固定VDS值，MOS晶体管的源漏电流IDS随栅源电压VGS的变化曲线。...

阅读全文2023-12-01

NMOS管的特性曲线（一）— 输出特性曲线详解

输出特性曲线：固定VGS值，且数值大于阈值电压时，MOS晶体管的源漏电流IDS随VDS的变化曲线。...

阅读全文2023-12-01

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储变化趋势(3)

至此，我们完整地分析了关断瞬态过程中IGBT内部的空穴浓度分布变化从而引起的电荷存储变化，而电荷对时间的变化率即对应电流。...

阅读全文2023-12-01

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储变化趋势(2)

可以看出，减小迁移率和载流子寿命，可以增大关断瞬间的电流突变率。...

阅读全文2023-12-01

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储变化趋势(1)

现在我们把时间变量图片加入，进行电荷总量图片的瞬态分析。当栅极电压低于阈值电压，IGBT内部存储的电荷开始衰减，衰减过程是因为载流子寿命有限而...

阅读全文2023-12-01

IGBT的关断瞬态分析—电荷存储初始值

在稳态部分的分析中，我们详细地推演了电子电流、空穴电流、总电流以及各电压构成部分与多余载流子浓度分布之间的关系，即一维空间的物理关系。...

阅读全文2023-12-01

通信系统中使用抖动改进ADC的SFDR应用研究

另一个非线性源是 ADC 编码器部分。对于给定的 ADC 相位，编码器部分主要处理直流信号，因为它位于 S/H 之后。因此，编码器非线性会导致系统的静态（或...

阅读全文2023-12-01

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