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IGBT电压与电荷分布之间的关系（2）

因为电子从费米能级高位向低位流动，因此根据电子电流的流向很容易绘出费米能级的弯曲方向，这里将BJT发射极到集电极的导带及价带能带示意图绘制如...

阅读全文2023-12-01

IGBT电压与电荷分布之间的关系（1）

前面我们基本完成了稳态状况下，电流（包含电子电流和空穴电流）与电荷分布之间的关系，下面我们来看看稳态下电压与电荷分布之间的关系。...

阅读全文2023-12-01

高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用介绍

图1显示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品。作为业界最高电压阻断能力（高达4700V）器件的制造商...

阅读全文2023-12-01

IGBT的稳态分析—电流与电荷分布关系修正

如前所述，修正图片、图片与图片的关系关键在于要重新基于BJT结构模型来建立图片与图片的关系。...

阅读全文2023-12-01

IGBT稳态分析—电流与电荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理结构模型》中，我们将IGBT内部PIN结切分成了PIN1和PIN2（见上一节插图），因为PIN1与沟槽所构成的MOS串联...

阅读全文2023-12-01

IGBT稳态分析—电流与电荷分布的初步分析（2）

上一章我们对IGBT稳态的分析中，在IGBT的大注入条件下，电子和空穴的运动相互影响，这个影响关系需要用双极性扩散系数来描述。...

阅读全文2023-12-01

IGBT稳态分析—电流与电荷分布的初步分析（1）

IGBT作为大功率双极型开关器件，持续工作在大注入、低增益的状态下，关断过程中因为电子电流、空穴电流关断不同步...

阅读全文2023-12-01

IGBT的物理结构模型—BJT&MOS模型（2）

上一章讲到了IGBT的饱和电流，与MOS的饱和电流之间存在图片的倍数关系，这使得IGBT饱和电流比MOS大很多。...

阅读全文2023-12-01

IGBT的物理结构模型—BJT&MOS模型（1）

在前面关于PINMOS模型分析中，特别强调了这个模型所存在的一个短板，即所有电流都通过MOS沟道，实际上只有电子电流通过MOS沟道，而空穴电流则通过p-b...

阅读全文2023-12-01

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（3）

这里需要注意的是，载流子电流为零并不意味着载流子浓度为零，反之亦然。对于PIN1结构，因为阳极和阴极的多子浓度远大于少子浓度，所以可以忽略少子...

阅读全文2023-12-01

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