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国产电流传感器推荐-DCDC转换器

DCDC转换器是一种临时储存电能的设备，作用是将直流电从一个电压水平转换为另一个电压水平。...

阅读全文2023-12-01

一文了解IGBT的极限值

在文件数据表中，按照IGBT 模块（IGBT，二极管，壳体，温度传感器等）的各个组成部分别给出它们的极限值。...

阅读全文2023-12-01

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（2）

上一节的分析中，仅考虑了PIN1，而未考虑PIN2。PIN1与MOS结构相连接，而PIN2则与基区相连接。...

阅读全文2023-11-30

IGBT的物理结构模型—PIN&MOS模型（1）

分析IGBT，一般可以采用两种模型，一种是简化的“PIN+MOS”模型，一种是更切合实际的“PNP+MOS”模型，前者逻辑分析简单...

阅读全文2023-11-30

IGBT中的MOS结构—抗辐照特性介绍

氧化硅等绝缘层是MOS器件的重要组成部分，在高能粒子的辐射下，绝缘层中激发的电子空穴对会对绝缘层的特性造成影响。...

阅读全文2023-11-30

什么是PN结

P型硅中有大量的多子空穴和少量的电子；N型硅中有大量的多子电子和少量的空穴；中间的结对载流子的流动不构成障碍，所以有一些空穴就从P型硅扩散到...

阅读全文2023-11-30

如何判定一个MOS晶体管是N沟道型还是P沟道型呢？

MOS的三个极怎么判定？是N沟道还是P沟道？ MOS是金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的缩写。它是一种常见的晶体管类...

阅读全文2023-11-30

功率集成电路设计之结终端技术

通常采用半绝缘多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline Silicon，SIPOS），其两端分别与器件的两个电极相连，因为场板本身不绝缘且两端存在电势差，在阻性场板...

阅读全文2023-11-30

模拟IC设计之OP的指标计算方法

在计算之前，我们有必要先了解一下ADC的架构，这对理解计算过程是有帮助的。我们看上图，它由S/H电路、1~M个流水级和一个FlashADC组成。图中G表示每个流...

阅读全文2023-11-30

NPN管做放大器的基准电路图

当基准建立后，M4可以提供一个与M1成一定比例大小的电流并注入C点，使VC≈VDD，使M8关断，避免启动电路对核心电路的正常工作造成影响。...

阅读全文2023-11-30

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