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与MOS不同，IGBT高温/常温输出特性曲线为何有交点

其中本征载流子浓度ni随温度升高而急剧增大，导致Vbi随温度升高而减小，呈现负的温度系数。...

阅读全文2023-11-29

PN结对IGBT器件的重要性

IGBT与功率MOS最大的区别就是背面多了一个pn结，在正向导通时，背面pn结构向N-区注入空穴，使得N-区的电阻率急剧减小（即电导调制效应）。...

阅读全文2023-11-29

IGBT器件的灵魂

根据施敏教授的拆分理论，器件由4个基本单元组成。...

阅读全文2023-11-29

浅析IGBT中的MOS结构—Rds(on)

在推导MOS的IV特性时，我们通过建立了电阻R和电压V之间的关系，从而消除欧姆定律中的电阻R，得到电流与电压之间的关系，但这里所讨论的电阻仅仅是沟...

阅读全文2023-11-29

浅谈信号delay time和phase shift

假设信号经过一阶低通滤波器（-3dB带宽为f0），那在所有频率点，信号的delay是怎样的？ tao=16ns时，我用matlab plot了一下幅度、相位和time delay，其中time de...

阅读全文2023-11-29

IGBT中的MOS器件电压、电流与阈值电压之间的关系

分析完阈值电压的机制后，下面我们重点分析一下MOS器件的电压、电流与阈值电压之间的关系。...

阅读全文2023-11-29

IGBT中的MOS结构—阈值电压（下）

上一节我们讨论了栅极与半导体材料之间的功函数差，本节我们讨论绝缘层电荷的影响。...

阅读全文2023-11-29

IGBT中的MOS结构—阈值电压（上）

MOS之所以能够以电压控制，并起到开关的作用，正是由于上述反型层的机制...

阅读全文2023-11-29

IGBT中的MOS结构—反型层论述

在“IGBT中的若干PN结”一章中我们提到，IGBT是由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）所构成...

阅读全文2023-11-29

IGBT中的若干PN结—PNPN结构介绍

在前文的PNP结构中，我们描述了一种现象，如果IGBT中的两个BJT都处于工作状态，那么就会发生失控，产生latch-up现象。...

阅读全文2023-11-29

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