国产第二代碳化硅MOSFET B2M040120Z在电动汽车中的应

电动汽车空调压缩机是热泵空调系统的核心，合适的功率器件可以提高其控制器的工作效率，从而可以提高整个系统的效率。

传统的1200V硅IGBT方案开关损耗较大，散热问题严重，若采用碳化硅MOSFET方案可以通过提升逆变器开关频率，以减小输出电流的总谐波畸变率，从而减小压缩机的谐波损耗，提升压缩机的效率，进一步提高空调热泵系统的效率，所以碳化硅MOSFET更有利于电动汽车空调热管理｡

国产基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M040120Z 40mR/1200V支持TO-247-4封装，是基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件，以更好地满足客户需求。

不仅如此，国产B2M040120Z还可替代英飞凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及科锐C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG，国芯思辰可以提供专业的技术 。

基本半导体第二代碳化硅MOSFET产品亮点：

更低比导通电阻：第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升。

更低器件开关损耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。

更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，产品可靠性表现出色。

更高工作结温：第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。

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