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晶扬电子推出一种适用于USB3.X等高速接口的静电

时间:2024-05-07 09:43

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作者:admin

导读:晶扬推出单向四路,超低容值,超低钳位电压,小封装保护器件TT0354SP/TT0354SP-HFx-适用于USB3.X等高速接口的静电保护方案...

晶扬推出单向四路,超低容值,超低钳位电压,小封装保护器件TT0354SP/TT0354SP-HFx-适用于USB3.X等高速接口的静电保护方案

01 USB应用需求不断增加并普及

随着消费者对数据传输速度和稳定性要求的提高,USB 3.0、USB 3.1、USB 3.2等新型USB标准的普及,为用户提供了更快的数据传输速度和更可靠的连接。许多设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电子阅读器、数码相机、物联网 (IoT)模块、外部存储设备等都采用了USB接口作为数据传输和充电的标准接口。

消费者对USB应用需求的增加会带来对静电防护的更高需求。静电对于电子产品可能造成的危害包括:

电子设备损坏:静电放电/浪涌可能会引起瞬时高电压,超过USB主控芯片或电路的承受范围,导致USB接口或电路板损坏,使设备无法正常工作。

数据丢失或损坏:静电放电/浪涌也可能干扰USB信号传输,导致数据传输错误或丢失,影响设备的功能和性能。

因此,为了保护电子产品上USB接口的安全,使用静电浪涌抑制器ESD, Electro-Static discharge)或瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressors,TVS等防护器件变得至关重要。

02 晶选防护方案

晶扬电子针对USB 3.X免受静电放电/浪涌的损坏推出ESD新品TT0354SP/TT0354SP-HFx(用于信号线的保护),具有以下优点:

为确保通过USB 3.X传递的高速信号的完整性,新品均具有超低电容VR=0V,f = 1MHz条件下:TT0354SP典型值为0.45 pF,TT0354SP-HFx典型值为0.43 pF;)。

采用我司独有的深回滞前沿专利技术,新品均具有较低的钳位电压(IPP=5.5A时,TT0354SP钳位电压为3.6 V,TT0354SP-HFx钳位电压为3.3 V),相比普通的无回滞和浅回滞器件,新品的深回滞特性能为电路提供更好的保护性能。

具有较高的ESD耐受能力,能承受IEC 61000-4-2测试的12kV接触放电和15kV空气放电的ESD冲击。

外形小巧,具有四通路的集成阵列式DFN2510封装,可最大限度地减少在PCB上所占用的空间,且成本更低。

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晶扬晶选USB 3.X静电防护方案

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用于信号和电源防护的ESD性能参数表

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TT0354SP规格书

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TT0354SP-HFx规格书

LAYOUT设计时的注意事项:

将ESD保护器件尽可能靠近I/O连接器放置,以减少ESD接地路径,提高保护性能。

PCB布线尽可能走圆角或45度角,避免直角走线,以避免不必要的反射。

保持差分数据通道的正线和负线之间的走线长度相等,以避免共模噪声的产生和阻抗失配。


审核编辑:刘清
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