说说EEPROM和FLASH的那些事

最开始参加工作的时候，经常听到有需求说XX参数存到EEPROM，XX事件保存在FLASH中，当时只是觉得这两个东西都是可以用来存数据，应该大差不差。那真是这样么？这篇就来说说EEPROM和FLASH的那些事。

现在买手机的时候，很多厂商都会标出手机ROM有XX GB，RAM有XX GB。其中的ROM就是Read- Only- Memory，RAM就是Random-Access-Memory。通常掉电后再上电，数据还存在的，就是ROM。

其实现在的ROM已经和当初最开始的含义已经不一样了，最初设计的ROM真的是只读设备，出厂的时候就通过特殊方法固化数据，不可再更改。

后来出现了PROM（Programmable ROM可编程ROM），该ROM可以进行一次写入动作，一旦写错，那只能换一片了。

此后出来了EPROM（Erasable & Programmable ROM 可擦除可编写ROM），该款ROM可执行多次的擦写，但是每次需要重写数据的话，需要使用紫外灯照射擦除，擦写效率低下。

最后EEPROM（Electrical Erasable Programmable ROM电子可擦除可编程ROM）登场，EEPROM电子的只需要依靠电子信号即可完成擦写，而且最小操作单位为BYTE，不需要将数据区域都擦除再进行写入动作。

Flash的全称为Flash EEPROM Memory，有时我们也称其为“闪存”。相对于EEPROM，其读写速度有了更高的提升。

现在市面上的接触到的FLASH主要分为NOR Flash以及NAND Flash，分别代表着以Intel和TOSHIBA的Flash发展路线。

NOR Flash的擦除与写入速度都不及NAND Flash,但是读取速度却更快。NOR FLASH的擦写寿命大约10万次，而NAND FLASH的擦写寿命能达到100万次。

NOR的地址线与数据线是各自独立的，而NAND的地址线与数据线是共用的。因为这种特性上的区别，NOR Flash更适合储存代码而NAND Flash更适合做数据储存。

MCU中的FLASH通常就是NOR FLASH，具备XIP功能（execute in place），程序直接在闪存内运行无需拷贝到RAM中。

EEPROM和FLASH的区别如下所示，EEPROM的通讯速率通常低于FLASH，且市面上小容量的EEPROM较多，因为电路更为复杂，同等容量的EEPROM相对于FLASH不具备性价比。