SGT-MOS与DMOS雪崩耐量对比

(1)SGT-MOS与常规DMOS结构

屏蔽栅侧壁氧化层厚度：0.7um

屏蔽栅底部氧化层厚度：0.5um

屏蔽栅隔离氧化层厚度：0.3um

屏蔽栅宽度：0.4um

屏蔽栅纵向长度：3.4um

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（2）SGT-MOS与常规DMOS雪崩耐量对比

L=1E-3,H=1/0.03

DMOS:

SGT-MOS:

ID对比：

晶格温度对比：

VD对比：

VG对比：