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芯佰微最新推出单芯片CMOS工艺器件——CBMG774

时间:2023-05-22 12:38

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作者:admin

标签: 以太网  导通电 

导读:芯佰微最新推出单芯片CMOS工艺器件——CBMG774-CBMG774的带宽大于200MHz;与低失真特性(通常为0.5%)相结合,使该器件广泛应用于切换USB 1.1数据信号和快速以太网信号等电路设计。...

芯佰微最新推出的CBMG774是一种单芯片CMOS工艺器件,包括四个具有高阻抗输出的2:1多路复用器/解复用器。该工艺具有低功耗,高开关切换速度和低导通电阻等特性。当输入信号范围为0V至5V时,导通电阻变化通常小于0.5Ω。

CBMG774的带宽大于200MHz;与低失真特性(通常为0.5%)相结合,使该器件广泛应用于切换USB 1.1数据信号和快速以太网信号等电路设计

在整个模拟输入范围内,导通电阻分布非常平坦,确保了切换音频信号时的良好线性和低失真特性。快速切换速度和高信号带宽,也使得这些器件适合于视频信号切换应用设计。CMOS工艺可确保超低功耗,使产品非常适合用于便携式和电池供电应用系统。CBMG774设计为3.3V或5V单电源供电,并且与TTL逻辑兼容。每个开关的控制逻辑如真值表所示。这些开关在接通时在两个方向上都能同样良好地导通信号,并且具有延伸到电源的输入信号范围。在断开状态下,电源的信号电平被阻断。CBMG774开关表现出先断后合的开关动作。

功能框图

CBMG774功能框图及真值表如下:

4d70e24e-f84c-11ed-90ce-dac502259ad0.png

图1. 功能框图  

表1. 真值表

EN IN D1 D2 D3 D4 功能
1 X Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Disable
0 0 S1A S2A S3A S4A IN=0
0 1 S1B S2B S3B S4B IN=1

典型特征

低插入损耗和导通电阻:2.2Ω(典型值)

电阻平坦度0.5Ω(典型值)

汽车温度范围:-40℃至+125℃

–3 dB带宽=240 MHz

单电源3V/5V工作

低静态电源电流(1nA典型值)

轨到轨输出

极低失真:0.5%

快速切换时间:tON=7ns,tOFF=4ns

TTL/CMOS兼容

产品应用

掌上电脑

手机

继电器的更换

电池供电系统

通信系统

数据采集系统

令牌环4 Mbps/16 Mbps

音频和视频切换

USB 1.1信号切换电路

核心特点

–3 dB带宽为240 MHz。

超低功耗。

扩展信号范围。

CBMG774是在CMOS工艺制程上制造的,提供了完全延伸到供电轨的增加的信号范围。

泄漏温度过低。

先断后合切换。

当开关被配置为多路复用器时,可防止通道短路。

串扰通常为–70 dB@30 MHz。

关闭隔离通常为–60 dB@10 MHz。

典型电气特性图

CBMG774主要参数特性图如下:

4d885ca8-f84c-11ed-90ce-dac502259ad0.png

图2.单电源下的导通电阻与VD (VS)的关系

编辑:黄飞

 

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