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D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封装FET的直接替代 Transphorm正在对三个650 V GaN FET进行采样，典型导通电阻为35 mΩ、50 mΩ和72 mΩ，采用TO无引线(TOLL)封装。根据制造商的说法，这些通常关闭的D型SuperGaN FET可用... 阅读全文2023-10-13 搞定ESD：ESD干扰耦合路径深入分析（一） 静电放电时用手紧握住静电枪枪体与枪头连接处，皮肤能够明显的感受到虹吸之力，这个就是静电枪体放电时产生的强电场干扰。... 阅读全文2023-10-13 半导体工业（五）芯片密度的进步 减小特征尺寸和随之可以逐渐增加的电路集成密度有几个好处。在电路性能水平上，有一个显著的优点就是可以增加电路运行速度。... 阅读全文2023-10-13 如何使用PSCOF方法演示电可调谐微透镜阵列呢？ 微透镜阵列是光通信、自动立体显示、波前传感、集成成像等领域有前景的关键元件之一。... 阅读全文2023-10-13 SMT加工厂的L形引脚类封装特点有哪些？ L形引脚类封装耐焊接性比较好，一般具有以下耐焊接性。... 阅读全文2023-10-13 封闭孔隙的形成机制及其对储钠性能的影响 虽然闭孔结构在提高钠离子电池硬碳负极的低压平台容量中起着关键作用，但闭孔的形成机制仍存在争议。... 阅读全文2023-10-13 基于RoboMasterC板的RT-Thread使用分享—PWM扩展实验 这次因为没有新增功能所以新建功能部分我就先略过了，大家可以参考一下上篇文章，其中我修改Kconfig，开启PWM5 CH1/2/3的部分已经提交PR了，各位之后导入... 阅读全文2023-10-13 半导体制冷器的三种散热方式 半导体制冷器的工作过程不是普通的吸热过程或者将热量消耗掉的过程。热电制冷器在通电之后，它的一面会变冷而另一面变热。我们可以将半导体制冷器... 阅读全文2023-10-13 半导体逻辑器件工艺流程 LTPS工艺对器件参数的影 半导体逻辑器件工艺流程 LTPS工艺对器件参数的影响-当n型半导体与p型半导体接触时，电子与空穴都从浓度高处向浓度低处扩散，称为扩散运动。当电子进... 阅读全文2023-10-13 智能功率模块 (IPM)：概念、特性和应用 “功率模块”是指存在功率开关元件（通常是 IGBT），该模块是“智能”的，因为它包含额外的控制和保护电路。目标是优化性能并使整体解决方案更易于... 阅读全文2023-10-13 首页上一页 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 下一页末页

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