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Intel自曝:3nm工艺良率、性能简直完美!

时间:2023-08-01 09:41

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作者:admin

标签: intel芯片  处理器  fet  晶体管 

导读:Intel将在下半年发布的Meteor Lake酷睿Ultra处理器将首次使用Intel 4制造工艺,也就是之前的7nm,但是Intel认为它能达到4nm级别的水平,所以改了名字。...

Intel将在下半年发布的Meteor Lake酷睿Ultra处理器将首次使用Intel 4制造工艺,也就是之前的7nm,但是Intel认为它能达到4nm级别的水平,所以改了名字。

再下一步就是Intel 3,也就是早先的5nm,号称能效可提升18%。

Intel CEO帕特·基辛格近日披露,Intel 3工艺在今年第二季度就达成了缺陷密度、性能的里程碑,将如期达到良率、性能的整体目标,明年上半年首先应用于Sierra Forest(首次纯小核设计),紧接着很快就会用于Granite Rapids(纯大核)。

Sierra Forest、Granite Rapids应该都会划入第六代可扩展至强序列,而今年底还有个第五代的Emerald Rapids,制造工艺和现在的第四代Sapphire Rapids一样都是Intel 7。

Intel 3工艺似乎不会用于消费级产品,至少目前没看到相关规划,它更多针对数据中心产品优化。

多次曝光的Granite Rapids

再往后的Arrow Lake,将会首次引入Intel 20A工艺,也就是相当于2nm级别。

基辛格表示,Intel 20A工艺将第一次使用RibbonFET、PowerVia技术,大规模用于消费级产品,目前正在晶圆厂内进行第一步。

就在不久前,Intel宣布,率先在代号为“Blue Sky Creek”产品级测试芯片上实现了背面供电技术。

该技术能显著提高芯片的使用效率,同时晶体管体积大大缩小,单元密度大大增加,因此能显著降低成本,还将平台电压降低了30%,并带来了6%的频率增益。







审核编辑:刘清

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