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ADL8106 GaAs pHEMT低噪声放大器,20 GHz 至 54 GHz技术手

时间:2025-04-22 14:26

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作者:admin

标签: 砷化镓  GaAs 

导读:ADL8106 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 宽带低噪声放大器,工作频率为 20 GHz 至 54 GHz。ADL8106 提供 21.5 dB 的增益,14 dBm 的压缩 (OP1dB) 时的输出...

ADL8106 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 宽带低噪声放大器,工作频率为 20 GHz 至 54 GHz。ADL8106 提供 21.5 dB 的增益,14 dBm 的压缩 (OP1dB) 时的输出功率为 1 dB,在 30 GHz 至 44 GHz 时,输出三阶交调 (OIP3) 的典型值为 21.5 dBm。ADL8106 工作时需要 3 V 的电源电压 (V DD ) 输送的 120 mA 电流,其输入和输出在内部匹配到 50 Ω,便于集成到多芯片模块 (MCM) 中。所有数据均由通过最小长度为 0.076 mm 到 0.152 mm(3 密耳到 6 密耳)宽金带状键合连接的 RFIN 和 RFOUT 焊盘获得。

数据手册:*附件:ADL8106 GaAs pHEMT低噪声放大器,20 GHz 至 54 GHz技术手册.pdf

特性

  • 增益:30 GHz 到 44 GHz 范围内为 21.5 dB(典型值)
  • 输入回波损耗:30 GHz 到 44 GHz 范围内为 22 dB(典型值)
  • 输出回波损耗:30 GHz 到 44 GHz 范围内为 23 dB(典型值)
  • OP1dB:30 GHz 到 44 GHz 范围内为 14 dB(典型值)
  • P SAT :30 GHz 到 44 GHz 时为 18 dBm(典型值)
  • OIP3:30 GHz 到 44 GHz 时为 21.5 dBm(典型值)
  • 噪声指数:30 GHz 到 44 GHz 范围内为 3.0 dB(典型值)
  • 120 mA 时 3 V 电源电压
  • 匹配 50 Ω 的输入输出
  • 裸片尺寸:2.3 mm x 1.45 mm x 0.1 mm

引脚配置和功能描述
1.png

接口示意图
2.png

典型特性
3.png

简易框图
4.png

典型应用
5.png

应用
►测试仪器
►军事和太空

温馨提示:以上内容整理于网络,仅供参考,如果对您有帮助,留下您的阅读感言吧!
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