电池采样电路异常原因分析和解决方案

以下文章来源于24c01硬件电子，作者24c01

俗话说的好“电路和我有一个能跑就行，电路不跑我就跑”。今天这期带来的是群友的一个硬件bug。不过多阐述，一起看看：

问题描述：

产品电池采样电路样机概率有40uA额外的漏电流，五台样机有一台出现这种异常现象。问题定位到PMOS上，更换PMOS有用。电路原理图如下：

原理图分析：

当ADC_EN为高电平时，NMOS管Q20导通，PMOS管Q19导通，ADC1采集得到VIN的电压(ADC1≈VCC*4.7K/104.7K)。当ADC_EN为低电平时，NMOS和PMOS均为关断状态，此时在R66和R67上不会有漏电流(低功耗必备电路)。

从原理图分析是没什么问题，但是实际异常就是在Q19截止的时候，仍然会有40uA的漏电流。

原因分析：

后经过仔细与群友核对VIN电压后，发现VIN对应的电池电压，电池是12V的电池，即电池充满电后的电压会更高(大于12V)。

而这个原理图是从4.2V的锂电池采集电路里拷贝过来的。

当NMOS导通后，PMOS两端的VGS电压几乎等同为VIN(大于12V)，而采用的PMOS为AO3401，其VGS耐压绝对最大值也就是±12V。加上之前描述更换PMOS后问题会得到解决，所以怀疑是PMOS的VGS过压导致PMOS内伤，可能就产生了额外的漏电流。

解决方案：

电阻分压后控制PMOS，更改后电路图大致如下：

更换VGS耐压更高的PMOS，例如AO3407。

总结：

要额外注意MOS管的VGS耐压和VDS耐压，不要随心所欲。

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