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Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET

时间:2024-05-14 15:33

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作者:admin

标签: Vishay  封装技术  功率MOSFET 

导读:Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术,标志着第四代600V E系列功率MOSFET的诞生。这一创新产品为通信、工业及计算...

Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术,标志着第四代600V E系列功率MOSFET的诞生。这一创新产品为通信、工业及计算领域带来了前所未有的高效高功率密度解决方案。

SiHR080N60E以其小巧的PowerPAK 8 x 8 LR封装设计脱颖而出,其仅10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm的紧凑尺寸,相较于传统的D2PAK封装,占位面积大幅减少了50.8%,同时高度降低了惊人的66%。这种小巧且高效的设计,不仅节约了宝贵的空间资源,还显著提升了系统的功率密度,为现代电子设备的发展注入了新的活力。

随着通信、工业和计算应用对性能要求的不断提高,高效、高功率密度的解决方案变得愈发重要。Vishay公司的这款新型功率MOSFET正是为了满足这一市场需求而生,它将为各行各业带来更高效、更可靠的电力控制解决方案。

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