igbt导通条件和关断条件

GBT，绝缘栅双极型晶体管，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GTR）的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；（因为Vbe=0.7V，而Ic可以很大（跟PN结材料和厚度有关））MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大）

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT最主要的作用就是把高压直流变为交流，以及变频（所以用在电动车上比较多）。

IGBT的栅极-发射极电压VGE类似于MOSFET的栅极-源极电压VGS，集电极电流IC类似于漏极电流ID，集电极-发射极电压VCE类似于漏源电压VDS。

MOSFET与IGBT在线性区之间存在差异（红框所标位置）。

这主要是由于IGBT在导通初期，发射极P+/N-结需要约为0.7V的电压降使得该结从零偏转变为正偏所导致的。

igbt导通条件和关断条件的区别

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）的导通条件和关断条件有一些重要的区别：

1. 导通条件：

- 在导通状态下，IGBT的栅极与发射极之间施加正电压（通常为正向电压），使得栅结区域形成导电通道，从而允许电流通过。当栅极正向电压足够大以打开IGBT时，器件开始导通。

- 通常，IGBT的导通状态下，集电极-发射极间的电压低于最大额定电压（VCE(max)），而集电极电流处于最大额定电流IC(max)）之内。

2. 关断条件：

- 在关断状态下，栅极与发射极之间的电压被降低到足够低的水平，或者施加反向电压。这样做可以使栅结区域失去导电能力，从而切断电流通过。当栅极被拉低到足够低的电压或者施加反向电压时，IGBT开始关断。

- 关断状态下，集电极-发射极之间的电压通常高于最大额定电压（VCE(max)），而且器件电流接近于零。

导通状态下，IGBT允许电流通过，而关断状态下，IGBT切断电流。导通和关断之间的切换是通过控制栅极电压来实现的，以控制器件的导通和关断状态。

igbt可以反向导通吗

不，IGBT（绝缘栅双极晶体管）通常不会反向导通。IGBT是一种双极型器件，其栅结区域的电流主要是由正向电压引起的。在正向电压作用下，栅结区域会形成导电通道，从而允许电流通过。然而，在反向电压下，栅结区域通常处于截止状态，不会形成导电通道，因此不会发生反向导通。IGBT设计的目的是在正向工作条件下进行功率控制和放大，而不是用于反向工作或反向导通。

审核编辑;黄飞