基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半

Pcore2 E2B 封装

1200V 240A 大功率碳化硅MOSFET模块

BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块，该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅（Si3N4）AMB陶瓷基板等技术，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、可靠性等方面表现出色，可应用于大功率快速充电桩模块、不间断电源UPS、高频DCDC变换器、高端工业焊机等领域。

产品拓扑

产品特点

高晶圆可靠性

新型内部构造极大抑制了碳化硅晶体缺陷引起的RDS(on)退化。

优异抗噪特性

宽栅-源电压范围（VGS: -10V~+25V），及更高阈值电压（VGS(th).typ = 4.0V），便于栅极驱动设计。

高热性能及高封装可靠性

高性能氮化硅AMB陶瓷基板及高温焊料引入，改善温度循环的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。

Press-Fit连接技术

集成NTC温度传感器

应用优势

低导通电阻

低开关损耗

提高系统效率，降低系统散热需求

提高开关频率，以降低设备体积，提高功率密度

高阈值电压，降低误导通风险

应用领域

大功率快速充电桩

不间断电源UPS

储能系统ESS

高端工业电焊机

高频DCDC变换器

工业伺服电机

产品列表

审核编辑：刘清