场效应管怎么区分n沟道p沟道（MOS管导通条件）

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

场效应管怎么区分n沟道p沟道

场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。

按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管，并且大多采用增强型的N沟道，其次是增强型的P沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。

n沟道场效应管（N-channel FET）和p沟道场效应管（P-channel FET），它们之间的区别在于导电通道的类型及极性。

1. N沟道场效应管（N-channel FET）：

- 导电通道类型： N沟道场效应管的导电通道是n型半导体构成的，在介质中需要接通阳极（source）和阴极（drain）之间的电流，需要施加正电压到栅极（gate）上。

- 极性： N沟道场效应管的栅极对源极的介质结构呈负电压。

2. P沟道场效应管（P-channel FET）：

- 导电通道类型： P沟道场效应管的导电通道是p型半导体构成的，在介质中需要接通阴极和阳极之间的电流，需要施加负电压到栅极上。

- 极性： P沟道场效应管的栅极对源极的介质结构呈正电压。

区分N沟道场效应管和P沟道场效应管的方法通常包括以下几点：

- 引脚标识： 查看FET器件的引脚，通常会有标明N沟道或P沟道的标识。

- datasheet： 查看器件的datasheet，其中会明确指出器件的类型是N沟道还是P沟道。

- 测试方法： 可以通过外部测试电路，如万用表等仪器，对器件进行测试来确认器件类型。

MOS管导通条件

N沟道：Ug》Us时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。

P沟道：Ug《us时导通。（简单认为）ug=us时截止。《 p=“”》

注意一点，MOS管做开关器件的时候，输入输出一定不能接反，接反的寄生二极管一直处于导通状态，MOS本身就失去开关的作用了。

审核编辑：黄飞