瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规

3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片，具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V~18V，兼容性更好。

这3款产品导通电阻分别为25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封装，可耐受-55°C ～175°C工作温度，同时因TO247-4封装具有开尔文源极引脚，而能显著减小栅极驱动电压尖峰。这3款产品的型号及主要参数如下表：

瞻芯电子第二代SiC MOSFET

瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品与工艺平台是依托浙江瞻芯电子SiC晶圆厂开发的， 自2023年9月份发布第一款第二代SiC MOSFET产品以来，至今已有十几款采用同代技术平台的量产产品。瞻芯电子第二代SiC MOSFET产品，对比上一代产品，通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，让器件的比导通电阻降低约25%，能进一步降低器件损耗，提升系统效率。

产品应用

瞻芯电子采用TO247-4封装的车规级第二代650V SiC MOSFET系列产品，因其具备高速开关，且低损耗，以及良好的驱动兼容性等优秀特性，而能为功率变换系统提供高频、高效率的解决方案，主要适用于下列场景：

电机驱动

光伏逆变器

车载直流变换器（DC/DC）

车载充电机(OBC)

开关电源

审核编辑：刘清