意法半导体推出下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片

中国-意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片，利用宽禁带半导体技术简化电源设计，实现最新的生态设计目标。

意法半导体的MasterGaN产品家族集成两颗650V高电子迁移率GaN晶体管(HEMT)与优化的栅极驱动器、系统保护功能，以及在启动时为器件供电的集成式自举二极管。集成这些功能省去了设计者处理GaN晶体管栅极驱动开发难题。这两款产品采用紧凑的电源封装，提高了可靠性，减少了物料成本，简化了电路布局。

这两款新器件内置两个连接成半桥的GaN HEMT晶体管，这种配置适合开发采用有源箝位反激式转换器、有源箝位正激式转换器或谐振式转换器拓扑的开关式电源、适配器和充电器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分别与MasterGaN1和MasterGaN3引脚兼容。与早期的产品相比，新产品重新优化了导通时间，支持更高的开关频率，在低负载的情况取得更高的能效，能效提高在谐振拓扑中尤为明显。

输入引脚接受3.3V至15V的信号电压，输入滞后和下拉电阻有助于输入直连控制器，例如，微控制器、DSP信号处理器或霍尔效应传感器。专用关断引脚有助于设计者节省系统功率，两个GaN HEMT晶体管的时序匹配精准，集成一个互锁保护电路，防止桥臂上的开关管交叉导通。

MasterGaN1L

MasterGaN1L HEMT的导通电阻RDS(on)为150mΩ，额定电流为10A，适合最高功率500W的应用。空载功耗只有20mW，支持高转换效率，使设计者能够满足行业严格的待机功耗和平均能效目标。

MasterGaN4L

MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的应用，导通电阻RDS(on)为225mΩ，额定电流为6.5A。

EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1演示板现已上市，有助于开发者评估每款产品的功能。这两块板子集成一个针对LLC应用优化的GaN半桥功率模组，方便开发者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速创建新的拓扑结构，而无需使用完整的PCB设计。

这两款器件均已量产，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封装。

审核编辑：刘清