GaN溅射技术进展

氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。其技术发展将推动多个领域的技术发展，并满足未来对高性能、高效能转换和小型化的需求。

近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心盛大召开。期间“氮化镓功率电子器件”分会上，来自日本ULVAC株式会社首席技术官牛山史三先生带来了《GaN溅射技术进展》的演讲。

ULVAC从20年前开始开发通过溅射方式生长n+-GaN薄膜，目前已有量产经验，此次是首次在全世界范围做技术邀请报告。本次主要宣讲的设备技术来源于SEGul-200，其主要是在GaN LED，GaN-HEMT，GaN MOSFET领域的源漏极下方插入n+-GaN薄膜，用以降低接触电阻，提升器件性能。通过溅射，可以实现高密度的载流子迁移率，而且可以在600～700℃的温度下进行镀膜，不需要使用MOCVD所用的危险气体，而仅用Ar,N2即可完成。

报告展示了ULVAC在GaN器件领域的溅射技术解决方案，吸引了各大高校和企业的高度关注，并在现场引发了热烈的咨询和讨论。

在本次论坛中，为表彰ULVAC在第三代半导体领域所做出的杰出贡献，特授予“品牌力量”奖项。

会议期间，行业专家与ULVAC进行了深入交流，并对ULVAC SiC离子注入技术表示了高度认可和赞赏，对GaN领域未来的Sputter外延技术表示了极大的关注和期待。ULVAC株式会社将继续致力于创新和研发，为第三代半导体行业的发展做出更大的贡献。

审核编辑：刘清