MOSFET和IGBT内部结构与应用

MOSFET和IGBT内部结构不同，决定了其应用领域的不同。

1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强，IXYS有一款MOSFET,VMM1500-0075P(75V,1500A,0.55毫欧),这是电流最大的一款；电压高的一款IXFN38N100Q2(1000V,38A)这个是目前推广最多的产品,用于高频感应加热。

2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前英飞凌的新一代IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品。

3、就其应用，根据其特点：MOSFET应用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机，逆变器，变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域 。

开关电源 (Switch Mode Power Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。

虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。