三菱电机与安世半导体共同开发碳化硅(SiC)功率半

三菱电机今天宣布，将与安世半导体建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。三菱电机将利用其宽带隙半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，安世半导体将使用该芯片来开发SiC分立器件。

合作方面，前不久，Coherent、电装和三菱电机已达成协议，将向Coherent的SiC业务投资，投资金额总计10亿美元（各5亿美元）。 这笔投资将使电装和三菱各换取12.5%的非控股股权，Coherent将持有剩余75%的股权。交易完成之前，Coherent将把SiC业务分离出来，并将其投入一家子公司，子公司将继续由Coherent的新风险投资与宽带隙电子技术执行副总裁Sohail Khan领导。

该SiC子公司将与电装和三菱电机达成长期供应协议，以满足电装和三菱对150 mm和200 mm的SiC衬底和外延片的需求。

近年来，Coherent投资扩大了150 mm和200 mm衬底的生产规模，以应对这一市场。此次对SiC业务进行10亿美元的合并投资，将为扩产该业务的衬底和外延片提供资金，另一方面，结合同时签订的供应协议，还可增强SiC业务在市场中的地位。预计2024年第一季度完成此次交易。

而今年5月，三菱电机就与Coherent签署了一份谅解备忘录（MOU），双方合作开展一项计划，在200mm技术平台上大规模制造SiC电力电子器件。



根据公告，为了满足快速增长的需求，三菱电机宣布在截至2026年3月的五年内投资约2600亿日元。投资的主要部分（约1000亿日元）将用于建设一个基于200mm技术平台的SiC功率器件的新工厂，并加强相关生产设施。根据谅解备忘录，Coherent公司将为三菱电机未来在新工厂生产的SiC功率器件开发供应200mm n型4H SiC衬底片。






审核编辑：刘清