格芯获3500万美元加速氮化镓芯片

获3500万美元，格芯加速氮化镓芯片

据外媒报道，格芯已获得美国政府3500万美元（折合人民币约2.56亿元）的资助，用于其佛蒙特州的晶圆厂开发和生产硅基氮化镓（GaN-on-Si）晶圆，该工厂目前每月可生产超过5万片晶圆。

格芯生产的GaN芯片在处理高温和高压的优良表现，可以大幅改良手机、汽车、工业物联网（IoT）以及电网和其他关键基础设施在5G、6G通讯方面的性能和效率。

其中，美国国防部资助的这3500万美元中的一部分，格芯计划购买更多的设备以扩展开发和设计的能力，加快其大规模生产8英寸GaN-on-Si晶圆的进度。另一部分，格芯将用来减少自身以及客户受镓供应链限制的风险，同时提高美国制造的GaN芯片的开发速度、供应保证和竞争力。

此次投资建立在格芯与政府多年合作的基础上——2020-2022年期间政府资助了格芯4000万美元（折合人民币约2.93亿元）。格芯的研发团队拥有着8英寸晶圆制作的相关经验，可助力8英寸GaN-on-Si晶圆的制造。

“GaN-on-Si是新兴市场高性能射频、高压电源开关和控制应用技术的理想载体，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”总裁兼首席执行官Thomas Caulfield博士评论，“格芯与美国政府有着长期的合作伙伴关系，这笔资金对加速GaN-on-Si芯片批量生产至关重要。这些芯片将使我们的客户能够实现大胆的新设计，突破我们日常依赖的关键技术的能源效率和性能极限。”

与传统GaN-on-SiC等技术路线相比，GaN-on-Si选用的衬底成本与可靠性有显著优势，GaN外延生长缺陷也显著降低。

格芯（GF）是世界领先的半导体制造商之一。格芯正在通过开发和提供功能丰富的工艺技术解决方案来重新定义半导体制造，这些解决方案可在普遍的高增长市场中提供领先的性能。






审核编辑：刘清