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PMOS和NMOS为什么不能同时打开?PMOS可以背靠背使

时间:2023-10-23 10:05

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标签: 晶体管  PMOS  NMOS 

导读:PMOS和NMOS为什么不能同时打开?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢? PMOS和NMOS是两种不同的MOSFET(MOS场效应晶体管)。这两种晶体管有着不同的电性质和工作方式,因此不能同时打开。 首先,...

PMOS和NMOS为什么不能同时打开?PMOS可以背靠背使用,那NMOS呢?

PMOS和NMOS是两种不同的MOSFET(MOS场效应晶体管)。这两种晶体管有着不同的电性质和工作方式,因此不能同时打开。

首先,让我们来了解一下MOSFET的基本工作原理。MOSFET由源、漏和栅电极组成。当栅电极施加一定电压时,会形成一个电场,控制源和漏之间的电阻。如果栅电极施加电压使电场向源电极推进,那么源和漏之间的电阻就会降低,电流也会增加。

在PMOS中,P型半导体为其基底,N型半导体为其源、漏,通常使用P型栅极。而在NMOS中,N型半导体为其基底,P型半导体为其源、漏,通常使用N型栅极。

PMOS和NMOS在工作方式上有所不同。在PMOS中,当栅电极电压为0时,由于P型半导体基底与N型半导体源、漏之间形成PN结,因此PMOS处于导通状态,电流可以通过。但是当栅电极施加正电压时,P型半导体基底与栅电极之间形成反向电场,导致PN结被放大,PMOS处于截止状态,电流不能通过。

因此,当PMOS的栅电极电压为0时,PMOS可被打开,但是当NMOS的栅电极电压为0时,NMOS是不能被打开的。同样地,当NMOS栅电极施加正电压时,NMOS可以被打开,但是PMOS则不能打开。

另一个问题是,为什么PMOS可以背靠背使用,但NMOS不能?这是因为PMOS中,P型半导体基底和源漏区域之间形成了一个N型的互补区域,它可以很好地隔离不同PMOS晶体管的互相干扰。但是,在NMOS中,N型半导体基底和源漏区域之间没有形成互补区域,因此无法背靠背使用。

总之,PMOS和NMOS由于其不同的电性质和工作方式,不能同时打开。同时,在设计电路时,需要注意PMOS可背靠背使用,但是NMOS不可用这种方式。

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