三安光电8英寸碳化硅量产加速！

新能源汽车产业的快速发展导致了对车规功率半导体的需求激增。碳化硅器件以其耐高压、耐高温和低损耗等优越性能，成为新能源汽车所需的关键元器件。然而，国内的车规级碳化硅器件仍急需突破大规模制造能力的挑战。

业内人士预测，今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面，碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展，多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。

作为整个碳化硅产业链中技术含金量最高的环节，SiC衬底目前仍然由国际厂商占据领先地位，国内厂商正在迎头赶上。然而，近两年来，国内厂商在大尺寸衬底领域加速发展，已有10家国内厂商成功研发了SiC衬底。其中，天科合达、烁科晶体、合盛硅业和湖南三安等企业已实现小批量供货、小批量生产和销售以及量产阶段。天岳先进也宣布具备8英寸导电型SiC衬底的量产能力。

据报道，2023年6月，在SEMICON Taiwan 2023展会上，湖南三安首次发布了8英寸SiC碳化硅衬底，正式进入国内8英寸衬底领域。

根据湖南三安于10月23日晚间的披露，他们已经成功完成了8英寸SiC衬底的开发，并进入了小批量生产和样品发送阶段。据了解，湖南三安的产品主要采用了精准热场控制的自主PVT工艺，这能够实现更低的成本和更低的缺陷密度。

这是一个重要的里程碑，标志着湖南三安在SiC衬底领域取得了重要的突破。8英寸SiC衬底的成功开发使得湖南三安能够提供更多样化的碳化硅衬底产品，满足新能源汽车等领域对高性能、高可靠性器件的需求。

总体而言，国内企业在SiC衬底领域与国际厂商的差距正在缩小，除了一些特别高端的衬底材料，国内厂商的技术水平已经达到相当高的水平。随着国产技术的进一步突破和国内产业配套的完善，国内厂商有望进一步缩小与国际厂商在SiC器件领域的差距。

湖南三安在8英寸衬底领域的进展速度和取得的成果显示了国产SiC衬底厂商在全球竞争中实力的逐渐增强。

新能源汽车产业的快速发展为碳化硅器件带来了机遇和挑战。国内厂商在SiC衬底技术方面取得了重要进展，并有望缩小与国际厂商的差距。这将为碳化硅器件的大规模制造能力的突破和推动新能源汽车产业的发展提供支持。

编辑：黄飞