KUU推出SGT MOSFET新品 KM4110N-568

KUU推出采用DFN5*6-8L无铅塑料封装的N-SGT MOSFET产品KM4110N-568。产品使用先进的屏蔽栅沟槽（Shield Gate Trench）技术，同时降低了器件导通电阻Ronsp和栅极电荷Qg，得到更小的品质因数FOM（Rdson*Qg）。采用这一先进技术有效提高了器件的开关速度，降低了开关损耗，配合以先进的终端设计和封装技术，使器件具有更优异的性能和更强的可靠性。

这款KM4110N-568作为N-SGT MOSFET，其产品参数：具有110A电流、40V电压，RDS(on) =2.3mΩ，最高栅源电压VGS =±20 V，广泛使用在AC-DC/DC-DC的同步整流、变流器、电动工具等。

产品优势

1、极低的Rdson

2、极低的Qg和Qgd

3、更快的开关速度

4、更低的开关损耗

典型应用方案

使用这款N-SGT MOSFET，保证其耐压性能，能抵抗高浪涌电流冲击，具有更低导通损耗，可节省电能，适合多管并联。