使用MOSFET输出级的放大器电路图

这里介绍的电路是使用 MOSFET 输出级的放大器电路，作为基于双极晶体管的输出级的替代品。该项目适合那些想要尝试功率 MOSFET 的人。无需赘述，MOSFET 具有真空管和双极晶体管特有的声音。 MOSFET放大器的主要优点：操作简单、数百瓦的简单并联、负温度系数和快速开关时间。主要缺点：输入电容高达 500 至 1000 pF，对静电放电敏感。

MOSFET 的种类非常广泛，有 PNP 和 NPN，电压从 100 到 200 伏或更高，还有附加型号（如双极型）。功放常用型号有10N16、10P16、IRFP140、IRFP9140、IRFP240、IRFP9240、2SK135、2SJ50、2SK1530、2SJ201。在这个项目中，A点和C点连接到驱动级的输出，B点连接到反作用，D点连接到质量驱动器。电路板计划的外壳为TO3P晶体管，将脚稍微弯曲为TO220型封装。

通过放置在 A 点和 C 点之间的 250 欧姆可调电位器来设置静态电流（每个 MOSFET 约为 100 mA），无需任何其他复杂操作。始终可以使用其他传统系统。齐纳二极管用于通过非常简单的系统保护 MOSFET，为了获得更好的系统，您可以尝试更复杂的系统（+ 串联 1N4148 齐纳齐纳二极管 + 串联电阻，...）。传统的 Rx 电阻器线绕 0.22 欧姆 5 瓦电阻器被替换为 5 至 1.2 欧姆 1 瓦碳层并联，以避免自身影响。 Cx 电容器应根据将要进行的补偿来放置，所有情况均提供 PCB。

零件清单：

R1、R2、R3、R4 = 100 至 470 欧姆 1 / 4 W 金属膜

R5 = 10 欧姆 1 瓦碳

Rx = 1.2 欧姆 1 W 碳

C1、C2 = 100 uF 100 伏

C3 = 220 nF 100 伏

Cx = 陶瓷电容器(值取决于要进行的补偿，见表)

D1、D2 = 10 伏齐纳二极管 400 mW

T1、T2 = 示例 IRFP140 (100 V)、IRFP240 (200 V)

T3、T4 = 示例 IRFP9140 (100 V)五)、IRFP9240(200V)

注意：该项目尚未经过测试。