时间：2023-08-18 08:32
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作者：admin
SLH60R028E7是一款600V N沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要。超结MOSFET兼具高耐压特性和低电阻特性，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。
封装
特性
美浦森SJ-MOSFET采用了国际先进的多层外延工艺，RSP水平与国际主流品牌相当。
该工艺的超结MOS产品应用可靠性更高，EAS及EMI通过性更好。
具有内阻低，抗冲击能力强，结电容低，可靠性高，品质稳定等特点。入偏置电流：1nA（最大值）
应用范围
| ● LED电源 | ● PD电源 |
| ● PC和服务器电源 | ● 光伏逆变 |
| ● UPS | ● 充电桩 |
| ● 智能家居 | ● BLDC |
| ● BMS | ● 小家电 |
主要器件
| 产品型号 | 封装外形 | 导通电阻-RDS （On） [R](Max) |
| SLH60R043E7D | TO-247 | 0.043 |
| SLH60R041GTDI | TO-247 | 0.041 |
| SLH60R040E7 | TO-247 | 0.040 |
| SLH60R030E7D | TO-247 | 0.030 |
| SLH60R028E7 | TO-247 | 0.028 |
| SLH65R039GTDI | TO-247 | 0.039 |
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