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MCU芯片的Memory Bist设计实战(一)

时间:2023-02-08 16:09

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作者:admin

标签: mcu  芯片 

导读:就是SRAM MBIST_CLK延时下来刚好和SRAM测试地址TADDR的跳变完全对齐了,造成了SRAM的memory model的建立/保持时间违例,SRAM model在timing违例情况下Q端输出为X态。下文具体内容请移步知识星球查...

SRAM的MBIST测试结构如下:

dbefbc0a-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

SRAM的MBIST测试波形:

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SRAM BIST电路完成插入后,需要做一个formal check,保证Mbist插入后,logic function不发生错误改变。Formal check需要注意常量设置,具体参见知识星球的详细解释。

dc0dfce2-a786-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

此处分享2个经典问题:

定位1:

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通过trace TDO信号,一直追踪到SRAM的Q端,发现Q端数据输出是X态,通过分析发现本质上还是时钟问题,什么问题呢?

就是SRAM MBIST_CLK延时下来刚好和SRAM测试地址TADDR的跳变完全对齐了,造成了SRAM的memory model的建立/保持时间违例,SRAM model在timing违例情况下Q端输出为X态。下文具体内容请移步知识星球查看。

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实战MCU+ISP图像处理芯片版图

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实战ISP图像算法效果

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审核编辑 :李倩

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