高带宽 (4.7MHz)、低噪声 (7nV/√Hz)、精密 (35μV)、低

INA821 经过优化，可提供较高的共模抑制比。当 G = 1 时，整个输入共模范围内共模抑制比超过 92dB。根据设计，此器件采用低电压运行，由 4.5V 单电源和高达 ±18V 的双电源供电。

数据

• 低失调电压：10µV（典型值）、35µV（最大值）

• 增益漂移：5ppm/°C (G = 1)、
  35ppm/°C (G > 1)（最大值）

• 噪声：7nV/√Hz

• 带宽：4.7MHz (G = 1)、290kHz (G = 100)

• 采用 1nF 容性负载时保持稳定

• 输入保护电压高达 ±40V

• 共模抑制：112dB，G = 10（最小值）

• 电源抑制：110dB，G = 1（最小值）

• 电源电流：650µA（最大值）

• 电源电压范围：

• 单电源：4.5V 至 36V

• 双电源：±2.25V 至 ±18V

• 额定温度范围：–40°C 至 +125°C

• 封装：8 引脚 SOIC 和 VSSOP

参数