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采用GaN和SiC技术的新一代半桥逆变器的性能分析

时间：2019-07-25 06:05

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作者：admin

标签： SiC  逆变器  GaN 

导读：新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關頻率來實現。...

新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關頻率來實現。

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