应用于高密度电源设计的GaN半导体材料

GaN 半导体材料有二种基本结构：纤锌矿（Wurtzite， WZ）和闪锌矿（Zinc blende， ZB）。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c 轴方向平移3c/8 套构而形成，所属空间群为或P63mc。

视频中介绍了氮化镓（GaN）功率器件的概述， 以及深入地讨论了如何利用GaN产品进行可靠， 高密度GaN电路的设计， 特别针对99%效率的PFC以及1MHz的LLC电路设计。