国芯思辰|碳化硅MOSFET B2M035120YP替代安森美用于太

随着光伏逆变器功率等级的不断提高，光伏行业对功率器件的规格和散热要求也越来越高。相比于传统硅器件，碳化硅功率器件能带来更高的转换效率和更低的能量损耗，从而有效缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本等，在光伏行业呈现大规模应用趋势。

太阳能光伏逆变器可以实现直流电到交流电的转换，是所有光伏发电系统中最关键的部分，主要由三部分组成，MPPT、直流滤波和DC-AC逆变并网，本文推荐使用基本半导体碳化硅MOSFET B2M035120YP替代英飞凌的IMZ120R030M1H和安森美的NVH4L030N120M3S，且B2M035120YP在高温工作中会更有优势。

然而通常为了获得高发电量，逆变器效率的提高必不可少，在三相光伏逆变器上在升压部分使用1200V B2M035120YP替代普通的1200V的硅器件，相比具有相同额定值的1200V硅器件，碳化硅MOSFET能效更高，具有高阻断电压的低导通电阻，系统尺寸/重量得到缩减，电力电子系统中的功率密度也有所增加。即便在高温（175°C）下运行，也能发挥一流的耐用性与卓越性能。

B2M035120YP应用领域：

开关模式电源(SMPS)、电源逆变器&太阳能逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站、直流/直流转换器

该产品符合RoHS标准、无铅、不含卤素，非常适用于光伏逆变器等效率、体积及发热要求较高的应用。此外，基本半导体提供各种电流电压等级的碳化硅肖特基二极管和平面、沟槽栅碳化硅MOSFET，产品可应用于标准环境及高温环境，各项性能指标达到国际领先水平

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