国芯思辰|可替代英飞凌、安森美，国产碳化硅用

汽车电子行业的智能化、电动化趋势带来周边行业（如充电桩等）的爆发式增长，碳化硅功率器件凭借高耐压，高开关频率和高耐温等优点在电能转换中得到大规模的应用。而具有巨大市场前景的充电桩模块也将面临着恶劣环境下（如高温高湿盐雾灰尘等）长时间工作导致可靠性问题，建设用地紧张导致对充电桩要求更高的功率密度和效率。

针对以上问题，基本半导体推出了第二代碳化硅MOSFET系列新品器件B2M065120Z，该系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。

B2M065120Z拥有更低比导通电阻（降低约40%）、器件开关损耗（降低约30%），以及更高可靠性和更高工作结温（175°C）等优越性能。产品类型也进一步丰富，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

碳化硅MOSFET B2M065120Z

B2M065120Z是全新的SOT-227封装，采用氮化铝（AlN）陶瓷基板，具有热导率高、强度高、热膨胀系数低等优点，氮化铝陶瓷基板热导率(170~230W/mK)是氧化铝陶瓷基板的9.5倍，热阻Rth(jc)低至0.12K/W。

综上所述，碳化硅MOSFET B2M065120Z器件作为第三代功率半导体非常适合充电桩模块的应用，必将在充电桩模块中得到快速的应用，基本半导体目前已掌握碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装、驱动应用等核心技术，将带来充电桩电能转换的巨大进步和技术突破。

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