国芯思辰 |混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1可用于

DC-DC电源变换器将一个固定的直流电压变换为可变的直流电压，这种技术被常应用于无轨电车，地铁列车，电动车的无级变速和控制，同时使上述控制获得加速平稳，快速响应的性能。

开关电源以其效率高、功率密度高而在电源领域中占主要地位，为了以更低的功耗获得更高的速度和更佳的性能，基本半导体推出的混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。

混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。

这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET和高性能的碳化硅 MOSFET之间，在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET，可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡，具有重要的应用价值，特别适用于对功率密度提升有需求。

基本半导体BGH75N120HF1在高频DC-DC电源转换器中的应用优势：

1、BGH75N120HF1输出电压1200V，连续直流电流为75A @TC=100°C。

2、BGH75N120HF1工作结温范围-40℃-150℃，存储温度-55℃-150℃。

3、BGH75N120HF1提供TO-247-3封装，符合RoHS标准。

4、BGH75N120HF1大幅降低了IGBT的开关损耗，适用于对功率密度提升有需求和更性价比的电源应用场景。

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