10W CV/CC单面USB充电器

介绍

本设计实例报告描述了使用InnoSwitch-CH INN2023K的10 W CV / CC单面USB充电器。它具有内置的高效率同步整流和单面PCB。此外，它具有次级侧控制的所有优点，以及初级侧调节的简单性。<10 mW空载输入功率和±3％CV，±5％CC调节，对变压器变化不敏感，其瞬态响应与负载时序无关。该设计适用于手机/ USB充电器。

图1填充电路板，顶视图图2填充电路板，底视图
图3示意图

输入EMI滤波

保险丝F1提供保护，防止初级侧组件的灾难性故障。

由于整流桥BR1的低浪涌电流额定值和大容量存储电容器C1和C2的相对高的值并且因此低的阻抗，浪涌限制热敏电阻（RT1）是必要的。

由于空间有限，特别是从PCB到外壳的高度，因此选择了物理小型桥式整流器BR1。

电容C1和C2提供对整流交流输入的滤波，并与L1和L2一起形成π（π）滤波器，以衰减差模EMI。低值Y电容（C8）可降低共模EMI。

InnoSwitch-CH IC Primary

变压器原边的一侧连接到整流DC总线，另一边连接到InnoSwitch-CH IC（U1）内的集成650 V功率MOSFET。

由D1，R1，R2和C3组成的低成本RCD钳位电路限制了由于变压器和输出走线电感的影响而产生的峰值漏极电压。

IC是自启动的，当首次使用AC时，使用内部高压电流源为BPP引脚电容（C4）充电。正常运行期间，初级侧块由变压器上的辅助绕组供电。其输出配置为反激式绕组，整流和滤波（D2和C5），并通过限流电阻R3馈入BPP引脚。

InnoSwitch-CH IC Secondary

InnoSwitch-CH的次级端提供输出电压，输出电流检测和驱动到一个提供同步整流的MOSFET。

变压器的二次侧由Q1进行整流，并由C10进行滤波。在开关瞬态期间发生高频振铃，否则会在Q1两端产生高电压，辐射EMI会通过缓冲器组件R5和C9降低。

IC的次级侧由次级绕组的正向电压或输出电压自供电。在CV操作期间，输出电压为器件供电，并馈入VO引脚。