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什么是MOS管

时间:2024-02-26 10:40

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作者:admin

标签: MOS管  MOSFET 

导读:MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。...

什么是MOS管?

这种基本的名词解释还是得用官方的话语说明一下:

MOS,是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

记住 MOS管有 三个引脚名称:G:gate 栅极;S:source 源极;D:drain 漏极。

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MOS管,即金属-氧化物-半导体场效应晶体管,其工作原理主要基于PN结的形成以及电场对载流子的控制。

以N型MOS管为例,当栅极电压为0时,源极和漏极之间不存在导电沟道,因此电流无法流通。但是,当在栅极和源极之间施加正电压时,栅极和硅衬底之间的绝缘层(通常是二氧化硅)会产生一个电场。这个电场会吸引源极中的电子,使它们聚集在绝缘层和硅衬底的交界处,形成一个N型导电沟道。随着栅极电压的增加,导电沟道会加宽,从而允许更多的电流通过。

当栅极电压足够高时,导电沟道将完全形成,使得源极和漏极之间可以导电。此时,如果源极和漏极之间存在电压差,电流就会通过导电沟道从源极流向漏极。这种通过栅极电压控制源极和漏极之间导电状态的能力,使得MOS管在电路中起到开关的作用。

值得注意的是,MOS管的工作状态还受到漏极-源极电压的影响。当漏极-源极电压过高时,可能会导致PN结反向击穿,从而损坏MOS管。因此,在使用MOS管时,需要注意控制栅极电压和漏极-源极电压的大小。

MOS管的工作原理是通过栅极电压控制导电沟道的形成和宽度,从而实现对电路开关的控制。这种特性使得MOS管在数字电路模拟电路以及电源管理等领域都有广泛的应用。

审核编辑:黄飞

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