安世半导体碳化硅肖特基二极管获十大划时代半

近日， EEPW 《电子产品世界》值创办30周年之际，颁布了“影响中国电子30年时代之光评选”获奖名单。安世半导体凭碳化硅肖特基二极管Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode斩获了「十大划时代半导体产品奖功率器件类」，展现了其作为基础半导体领域全球领导者的创新能力与强大实力。

“十大划时代半导体产品奖”是 EEPW 举办的“影响中国电子产业30年时代之光”系列评选活动之一，旨在重点回顾过去三十年间中国电子信息产业具有划时代意义的产品。安世半导体的该获奖器件采用合并 PIN（MPS）技术，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。

产品优势

PSC1065K 碳化硅肖特基二极管结合了宽禁带半导体材料（碳化硅）的优点和 MPS 器件结构及其“薄型 SiC ”技术带来的额外优势，具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数（QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。

合并PIN肖特基（MPS）二极管通过在制造过程中降低芯片厚度而进一步提高其性能，并具备其他优势，例如出色的浪涌电流耐受能力，从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性，使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中，以更小的外形尺寸实现更高的效率。

这款 SiC 肖特基二极管采用真2引脚（R2P） TO - 220-2通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装（DPAK R2P and D2PAK R2P）和采用真2引脚配置的通孔（TO-247-2）封装，可在高达175 °C 的高压应用中增强可靠性。

Nexperia（安世半导体）计划不断增加其 SiC 二极管产品组合，包括工作电压为650 V 和1200 V、电流范围为6-20 A 的和车规级器件。

审核编辑：刘清