CMOS模拟集成电路版图之反相器链版图设计

1、启动Candence

在命令行输入“icfb”，运行Cadence Spectre，弹出CIW对话框。

2、新建一个设计库

建立设计库：执行菜单栏如下：

绑定工艺库

3、新建一个Cellview

4、从工艺库中创建一个NMOS晶体管和PMOS管

单击或者”i”键，从工艺库中调出“simc18mmrf”中调出NMOS晶体管n33，分配长宽比50u/5u，指数为5.

Shift+F

5、摆放好NMOS管和PMOS管

6、进行NMOS晶体管栅极的连接

由于要对漏极进行连接，且NMOS的栅极较短，而多晶硅的电阻较大，需要将栅极的多晶硅适当延长留出漏极的布线通道，并设置多晶硅到一个金属的接触孔，通过一层金属进行连接。首先在LSW层选择栏中选择“GT”层，然后按“r”键，为栅极添加矩形r键，为栅极添加矩形。

7、建立多晶硅到金属一层的通孔

按“o”键，弹出“Create Contact”对话框。在“Contact type”栏中选择“M1_GT”，表示选择多晶硅到一层的通孔；在“Conlumns”栏中输入“4”，表示横向通孔数目为4。

单击“Hide按钮，移动光标，将通孔放置在多晶硅栅上”

*8、为每一个多晶硅栅分配延长线和通孔

单击鼠标左键，选中延长的多晶硅和通孔，按“c”键进行复制，为每个叉指的多晶硅分配延迟长线和通孔，完成后如下图所示，完成后如下图所示。注意，这里延长的多晶硅原始的栅严丝合缝地对其，否则会造成DRC错误。

9、为PMOS管也分配延长的多晶硅栅和通孔

重复步骤（6）到步骤（8），为PMOS栅分配延长的多晶硅和通孔。之后在LCW层选择一层金属，按“r”键，绘制一个矩形，将PMOS和NMOS的栅极连接，如下图所示

10、将栅极连接到一起

再次在LWS层选择一层金属，按“r”键，绘制矩形连线，将NMOS和PMOS的漏极进行连接

11、将NMOS的源极和PMOS的源极拉出

同样使用一层金属分别将NMOS的源极和PMOS的源极拉出来，准备与沉淀连接至地和电源，其中NMOS源极拉出的浸塑线如图所示：

12、将PMOS管和NMOS管复制2次

按住ctrl+A键，选中绘图的所有图形，再按“c”键复制两次，完成3个反相器主体版图的布置，之后再按照”r”键，

选择一层金属将第一级反相器输出和第二级反相器输入相连，第二级反相器输出和第三级反相器输入相连。

13、衬底与电源（地）的连接

首先进行NMOS衬底与地的连接，按“o”键，弹出“create Contact”对话框，在“Contact type”栏中选择“MI_SP”（表示选择P衬底到一层金属的通孔），在“Rows”栏中输入2，在”Columns“栏中输入340（表示纵向通孔数为2，横向通孔数目为340，横向长度以覆盖全部NMOS为准）。单击“hide”，移动光标将P衬底与NMOS源极相连。

在NMOS两侧也添加P衬底作为隔离环。重复上述操作

14、将PMOS管的P衬底包括在N阱中

PMOS应该放置在N阱中，在LSW中选择“NW”层，再按“r”键，绘制矩形将N衬底和P衬底均包括在N阱中，如同所示：

15、在反相器链路的外围添加电源环和地环

最后还需要在反相器链路的外围添加电源环和地环，这样就容易与I/O单元进行相连，具体连接将在后面介绍，这里先进行电源环和地环设计。在LSW窗口中选择一层金属，按“r”键，绘制矩形（矩形宽度以电流密度为准，这里设置为5u宽带）。之后将N衬底和P衬底分别与电源和地相连。

16、连线后对线路进行标志

对电路版图完成连线后，需要对电路的I/O进行标注。光标在LSW窗口层中，单击MI_TST/dG，然后在版图设计区域单击图标或者按快捷键“l”，如图所示。在相应的版图层上单击即可。

17、继续对其他线路进行标志

继续完成“gnd”“A”和”Z”的标志，全部标志完成后，按快捷键“F2”保存版图。