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高频率高性能CCM同步整流芯片U7612介绍

时间:2023-09-06 15:54

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作者:admin

标签: 整流二极  CCM 

导读:同步整流芯片U7612是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关,可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。...

高频率高性能CCM同步整流芯片U7612

同步整流芯片U7612是一款高频率、高性能、CCM 同步整流开关,可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7612 内置有VDD高压供电模块,无需辅助绕组供电可稳定工作,系统上支持High Side和LowSide配置,兼顾了系统性能和成本。

同步整流芯片U7612的快速关断功能可以帮助功率器件获得较低的电压应力,可支持断续工作模式 (DCM)、准谐振工作模式 (QR) 及连续工作模式 (CCM)。其内部集成有智能的开通检测功能,可以有效防止反激电路中寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通。

U7612

同步整流芯片U7612主要特点:

&内置 60V MOSFET

&支持反激、有源钳位反激拓扑

&支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式

&集成 180V 高耐压检测电路和高压供电电路,无需 VDD 辅助绕组供电

&支持宽范围输出电压应用,特别适用于支持QC、PD 等协议的快充领域

&支持 High Side 和 Low Side 配置

&<30ns 开通和关断延时

&智能开通检测功能防止误开通

&智能过零检测功能

&启动前 Gate 智能钳位

&封装类型 SOP-8

U7612

同步整流芯片U7612在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值3.8V)之前,芯片处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到VDD_ON之后,芯片启动,内部控制电路开始工作,副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道实现续流。当VDD电压低于欠压保护阈值VDD_OFF (典型值 3.5V) 后,芯片关机,副边绕组电流Is经内置MOSFET的体二极管实现续流。

同步整流芯片U7612引脚说明:

1 HV I漏极检测引脚。HV 到 Drain 建议串联 30~200Ω 的电阻,推荐典型值 100Ω

2 VDD P IC 供电引脚,VDD 到 GND 建议放置一个 1μF 的贴片陶瓷电容

3/4 GND G IC 参考地

5/6/7/8 Drain P 内置功率 MOSFET 漏极






审核编辑:刘清

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