好消息！第7代IGBT功率模块成功研制

近期，公司控股子公司振华永光传来了好消息：第6代IGBT功率模块迎来窗口期，而第7代IGBT功率模块也成功研制出来。

根据振华永光的数据显示，截至2023年5月31日，第6代IGBT功率模块的用户数量同比增长42.9%，订货金额同比增长超过100%。这是由于第6代IGBT功率模块具有优良的开关损耗和可靠性表现，未来在伺服电机、风力发电等领域预计会有良好的表现。

在2023年6月，振华永光成功研制出了1200V/900A功率模块的第7代IGBT芯片。该产品的参数性能完全与世界一流企业的第7代同类产品相当。

IGBT是现代电力电子器件中的主导型器件，被誉为电力电子行业的 “CPU”。IGBT代表绝缘栅双极型晶体管，是国际公认的电力电子技术的第三次革命最具代表性的产品。作为工业控制及自动化领域的核心元器件，IGBT能够根据信号指令来调节电路中的电压、电流、频率和相位等，以实现精准调控的目的。IGBT广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等众多领域。

第7代IGBT芯片基于全新的微沟槽技术开发，相比第6代IGBT芯片，静态损耗降低了30%。该芯片可应用于功率模块中，带来更高的电流密度，使相同封装体积下的输出电流能力增加50%以上。此外，第7代IGBT功率模块的最高结温从第6代的150℃提升到175℃，具有广阔的市场前景。