详解二极管的伏安特性曲线

实验原理

通过理论学习我们知道，二极管的伏安特性曲线如下：

显然，拿到一个特定的二极管，如果能提前绘制出此曲线，电路设计能起到事半功倍的效果。那么在实验室或者仿真环境下，我们该如何得到特定二极管的伏安特性曲线呢?从数学理论我们知道，横轴一般称之为自变量，纵轴称之为因变量。即我们应通过逐点更改特定二极管所承受的电压，并记录对应点的电流。通过手绘(描点做图)或者机绘(excel 或者MatLab)即可得到上述图形。

实验过程

逐点测量绘制法

此方法对测试取点的规律性没有要求，可以根据图形的特点自由的添加和删减测试点数。缺点是工作量较大。

典型的二极管伏安特性曲线测试电路图如下：

注：搜索资料可以看出，1n4148 的反向耐压是 75 付，故负电源设置为 100V。根据你所认为的标准，在 0~2V 之间取 20 个点;-100~0 之间取 20 个点，完成电压的选取和数据的测绘工作。并根据要求画出二极管伏安特性图。

电源扫描法：

指定激励源为 DC 直流，因变量为电流，绘制原理图如左侧所示。进行DC TRANSFER CURVEANALYSIS 分析。第一扫描源为 DC 直流。

开始点为-100V，结束点为 2V，测试点数为 10000。Y 轴坐标范围为-50m~+50m，查看二极管的反向击穿特性和正向导通特性。

开始点为-1V，结束点为 2V，测试点数为 10000。Y 轴坐标范围为-50m~+50m，正向导通特性。