600V SJ-MOSFET：R60xxJNx系列

ROHM独有的超级结MOSFET产品PrestoMOS，运用ROHM独创的Lifetime控制技术优势，实现了极快*的反向恢复时间（trr），非常有助于降低空调和逆变器等应用稳定运行时的功耗，因而已经作为IGBT的替代品受到高度好评。

此次，在以往的产品阵容基础上，新增了新开发的“R60xxJNx系列”共30种机型。产品特点如下：

・反向恢复时间（trr）极快。与IGBT相比，轻负载时的功率损耗降低约58%。

・采用不产生误开启（Self Turn-on）现象的设计，消除损耗增加的一个原因。

・优化体二极管的特性，改善软恢复指数，降低引发误动作的噪声。

这些特点不仅可降低应用的损耗，还使电路的优化更容易，设计的灵活性更高。

反向恢复时间（trr）极快，与IGBT相比，轻负载时的功率损耗降低约58%

包括空调和冰箱在内，白色家电多使用变频电路进行电机驱动，以往开关元件多使用IGBT。然而，作为近年来节能需求的一部分，降低稳定运行期间的功耗已经为重要课题。ROHM于2012年首次将PrestoMOS投入市场，这是以极快的反向恢复特性为特点的功率MOSFET，因其在解决“降低稳定运行期间的功耗”课题方面的优异表现，而获得了高度好评。

采用“不产生误开启现象”设计，消除损耗增加的一个原因

通过优化MOSFET结构上存在的寄生电容，将开关时的栅极电压升高量降低了20%。另外，将MOSFET导通的阈值（Vth）提高约1.5倍，是不易产生误开启现象的设计。优化了栅极电阻值（损耗的原因之一），可降低损耗。

改善恢复特性，降低引起误动作的噪声

通常，SJ-MOSFET体二极管的恢复特性为硬恢复。通过优化结构，与以往产品相比，R60xxJNx系列的软恢复指数改善了30％，不仅保持了极快的反向恢复时间（trr），还成功减少了噪声干扰。这使得设计时的栅极电阻等带来的噪声更容易优化。

R60xxJNx系列的产品阵容如下：

Package
	TO-252 (DPAK) [SC-63]	TO-263 (LPT(S) D2PAK) [SC-83]	TO-220FM	TO-247
Ron typ (mΩ)	1100	R6004JND3	R6004JNJ	R6004JNX
720	R6006JND3	R6006JNJ	☆R6006JNX
600	R6007JND3	R6007JNJ	R6007JNX
450	R6009JND3	R6009JNJ	R6009JNX
350		R6012JNJ	☆R6012JNX
220		R6018JNJ	R6018JNX
180		R6020JNJ	R6020JNX	R6020JNZ4
140			R6025JNX	R6025JNZ4
110			☆R6030JNX	R6030JNZ4
90				R6042JNZ4
64				☆R6050JNZ4
45				☆R6070JNZ4

审核编辑黄宇