国产碳化硅功率器件领先品牌派恩杰半导体PCIM

8月29日-31日，上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（简称PCIM Asia）在上海新国际博览中心W2馆圆满举行。作为领先亚洲的电力电子展会，本届展会汇聚了 181 家参展企业，在12,000平方米的展览范围中展示了各项创新技术。

派恩杰作为国产碳化硅功率器件领先品牌，受展会主办方邀请携高压SJ功率MOSFET、650V氮化镓晶圆&器件、200kW逆变器，SiC器件&模块以及评估板等产品重磅亮相，在上海新国际博览中心W2-F02展位，全面展示了派恩杰面向新能源产业的最新技术及稳定可靠的功率半导体器件，现场引起行业专家及新能源领域专业人士的热烈反响。

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现场盛况直击，派恩杰展台火热

展会现场，派恩杰展位门庭若市，众多半导体、新能源行业专家齐聚展台，从高压SJ功率MOSFET，到面向新能源汽车领域的HPD模块，无不受到业界热捧，一经展出便收获了行业广泛关注和咨询。

公司自主研发的1200V，400A，HPD封装三相全桥碳化硅功率模块PAAC12400CM、Easy系列碳化硅模块、超级结MOSFET P1S06027BD等产品受到行业客户伙伴的高度关注，吸引了众多观众驻足。

派恩杰系列产品主要面向新能源产业，量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为各个应用领域头部客户持续稳定供货，且产品质量与供应能力得到客户的广泛认可。

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行业创新技术，强势赋能新能源赛道

此次亮相，派恩杰向观众展示了最新的超级结MOSFET P1S06027BD。派恩杰的P1S06027BD基于硅的650V高压SJ功率MOSFET，可满足电动汽车应用例如车载充电器，HV-LV DC-DC转换器，和辅助电源等。得益于本身碳化硅器件在电动汽车领域的应用，硅高压SJ功率MOSFET可以在系统中配合使用，并提供高可靠性，设计的灵活性和可扩张性。后期派恩杰将推出更多型号和不同应用方向的高压SJ功率MOSFET。

同时，针对电动汽车电驱系统，派恩杰也推出一款1200V，400A，HPD封装的三相全桥碳化硅功率模块。相比于传统的IGBT功率模块，该产品的开关损耗和导通损耗大幅度降低，可以显著提高电驱系统的轻载效率，大幅提高电动汽车的续航里程。同时，该产品采用PinFin基板，具有超强的散热性能，可以极大地简化电驱系统的机械设计。派恩杰HPD模块是专门为800V电机驱动系统开发，满足车规级要求。

此外，派恩杰携带的650V氮化镓晶圆以及贴片封装器件也广受好评。氮化镓材料的具有极低的热产生率和极高的击穿场强，基于氮化镓的功率器件GaN HEMT具有极小的导通压降和开关损耗，可将开关电源的开关频率推高至1MHz 以上，大幅减小储能元件的体积，实现极高的功率密度。因此，GaN HEMT在消费电子和IT电源领域有广泛的应用。

派恩杰致力于碳化硅功率器件国产替代，专注于技术创新和产品研发。我们将持续为新能源赛道赋能，助力客户步履更稳，行的更远。未来我们也希望能够和业内更多同仁进行多方位的技术交流并保持友好合作。敬请期待！

第三代宽禁带半导体材料前沿技术探讨交流平台，帮助工程师了解SiC/GaN全球技术发展趋势。所有内容都是SiC/GaN功率器件供应商派恩杰半导体创始人黄兴博士和派恩杰工程师原创。

黄兴博士

派恩杰 总裁 &技术总监

师承IGBT发明者Dr. B.Jayant Baliga与发射极关断晶闸管发明者Dr.Alex Q.Huang。2018年创建派恩杰半导体(杭州)有限公司，领导派恩杰成为全球第一家量产元胞尺寸小于5μm的平面栅碳化硅MOSFET供应商，获得国际新能源龙头企业认可并收获直供订单，完成数亿元融资。黄兴博士著有10余篇科技论文，超350次引用，并拥有40余项专利，是碳化硅研发及应用领域的资深专家。

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。