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氮化镓(GaN)技术创新概况 氮化镓衬底技术是什么

时间：2023-09-04 10:16

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标签： 氮化镓  GaN  宽 

导读：氮化镓(GaN)技术创新概况 氮化镓衬底技术是什么-氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代...

氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料

➢氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料

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编辑：黄飞

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